IGBT誘導加熱電源の研究と設計
はじめに
誘導加熱技術 高い加熱効率、高速性、制御性、自動化の実現しやすさなど、伝統的な方法にはない利点を持つ先進的な加熱技術であるため、国民経済や社会生活に幅広く応用されている。
パラレル・ミディアム周波数 誘導加熱装置 (1~10kHz)は、パワーデバイスの容量に対する要求が低い、容量を拡大するために並列化しやすい、負荷への適応性が高いなどの利点があるため、誘導加熱電源への応用が増加している。80年代初頭に登場したパワーエレクトロニクス半導体デバイスIGBTの全体制御は、高速、高入力インピーダンス、駆動しやすい、低オン電圧降下などの優れた特徴を持ち、現在、IFとVHF分野での応用範囲が広く、誘導加熱技術に新たな飛躍をもたらした[1] [2] 。100 kW / 8 kHzシャント誘導加熱電源を対象として、中周波誘導加熱電源開発の主要技術は以下の通りである。
