Исследование и разработка источника питания для индукционного нагрева на IGBT-транзисторах
Введение
Технология индукционного нагрева Обладая преимуществами, которых нет у традиционных методов, такими как высокая эффективность нагрева, высокая скорость, управляемость и простота автоматизации, является передовой технологией нагрева, и поэтому имеет широкий спектр применения в национальной экономике и социальной жизни.
Параллельная средняя частота индукционное нагревательное оборудование (1~10кГц) имеет такие преимущества, как [0]низкое требование к мощности силовых устройств, легко распараллеливается для расширения мощности, высокая адаптивность к нагрузке и так далее, поэтому все большее применение находит в индукционном нагреве источников питания. Появившийся в начале 80-х годов, весь контроль силовых электронных полупроводниковых приборов IGBT, с его высокой скоростью, высоким входным сопротивлением, легко управлять, низкое падение напряжения в состоянии и другие выдающиеся особенности, в настоящее время имеет широкий спектр приложений на ПЧ и УКВ поля, и пусть индукционный нагрев технологии имеет новый скачок [1] [2] .Исследование на индукционный нагрев источника питания углубляется в Китае. На примере шунтового индукционного источника питания мощностью 100 кВт / 8 кГц будут рассмотрены ключевые технологии разработки среднечастотного индукционного источника питания, о которых речь пойдет ниже.......
Research-and-Design-on-IGBT-Induction-Heating-Power-Supply.pdf